晶体管快速恢复多谐振荡器电路图信号产生 电路图
在Q4截止期间(T0-T1)的电流通路如图所示。为C1提供直流恢复通路的这种非寻常的技术,其性能的改善超过了类似使用低电阻接在Q1和Q2发射极和B-之间。此种改进包括两个方面:大大减小了电源上的电流负载;在Q1和Q2的发射极上提供了较低的激励阻抗,因而能更可靠地把重要的波形全部耦合到A点和B点(与用电阻接到电源B-相比),把二极管CR2和CR4接到电路中的目的,是为了防止Q3和Q4的发射结反向击穿。
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在Q4截止期间(T0-T1)的电流通路如图所示。为C1提供直流恢复通路的这种非寻常的技术,其性能的改善超过了类似使用低电阻接在Q1和Q2发射极和B-之间。此种改进包括两个方面:大大减小了电源上的电流负载;在Q1和Q2的发射极上提供了较低的激励阻抗,因而能更可靠地把重要的波形全部耦合到A点和B点(与用电阻接到电源B-相比),把二极管CR2和CR4接到电路中的目的,是为了防止Q3和Q4的发射结反向击穿。
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