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电路设计->信号产生电路图->信号发生电路图->温补晶振主振电路设计分析

温补晶振主振电路设计分析

作者:dolphin时间:2017-09-19浏览次数:342

下图是一网友设计的一个温补晶振主振电路,总的来说,电路不错。但以下几点要仔细考虑:

1. C1、C2取值太大,反馈较弱,负性阻抗不够,可能不容易起振,10MHz时一般可先取C1=C2=120~150PF。
其他频率可按下式选取:
C=1500/ f ,
f单位为MHz,C单位为PF,实际值可在此初值附近优化。
2. 如果电源质量比较好,L1和c5可以不用,用的不好耦合到输入级会产生低频自激,还有电感和电解电容的稳定性和可靠性一般不是太好。
3. 输出要再加缓冲和驱动,否则无法测试到稳定的频率。
4. 晶体一定要用AT切基频晶体,RS要小,TS值要合适,不是越贵越好
6. C8=22u,有点大,不知UC的源阻抗是多少?时间常数会不会太大?
c7/c8这里,要慎重,如果有freq. response要求.可以尝试测量c3上的振幅.并计算驱动功率...c3换算成XC,10uW就ok了.
7. 变容二极管一般要并联一个小电容,以改善线性度,和防止电容过小停振。
网友的其他几个问题回答:
1. 电源电压, 这个有设计准则吗?多大合适呢?
答:电源电压根据用户使用,温补晶振现在手持设备用的多,电池供电,电压一般为3.3V。
2. 一般说晶振需要一个合适的驱动电流, 别欠驱动或过驱动,可是设计的时候按什么计算呢?
答:你这个晶振驱动功率几个uW就好了,把IE调到0.5~2mA应该差不多了。


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