共源共栅放大器

共源共栅放大器是一个两阶段随后由一个缓冲放大器的跨导放大器电路组成。“共源共栅”起源从那句“级联阴极”。该电路的单级放大器的优势，更好的输入输出隔离，更好的增益，提高带宽，更高的输入阻抗，输出阻抗更高，稳定性更好，更高的转换率等带宽的增加背后的原因有很多是减少的米勒效果。共源共栅放大器一般构造使用FET(场效应晶体管)或双极结型晶体管(BJT)。一个阶段通常将被连接在共同的源极/共发射极模式，在共同的基/共发射极模式和其他阶段将有线。

米勒的效果。

密勒效应实际上是其漏极连接到源极的寄生电容的电压增益的乘法。其漏极连接到源极的寄生电容总是降低的带宽和当它被乘以的电压增益的情况作出进一步恶化。Mulitiplication的寄生电容增加了有效的输入电容，因为我们知道，一个放大器，输入电容的增加，增加了低切的频率，这意味着减少了带宽。密勒效应，可以减少通过在放大器的输出处添加一个电流缓冲级，或通过添加一个电压输入之前的缓冲级。

FET的共源共栅放大器。

FET共源共栅放大器

上面示出一个典型的共源共栅放大器，使用FET的电路框图。的输入级的电路是一个场效应晶体管的共源极放大器的输入电压(Vin)被施加到其栅极。输出级是由输入级的FET而被驱动的共栅极放大器。Rd是输出级的漏极电阻。从Q2的漏极端子的输出电压(Vout)。由于Q2的栅极接地，场效应管Q2的源极电压和FET Q1的漏极电压被保持几乎恒定。这意味着上FET Q2提供了一个低输入阻抗较低的FET Q1。这降低了增益较低的FET Q1和作为结果的密勒效应也被减小，这导致增加的带宽。增益较低的FET Q1的减少不影响整体的增益，因为上部的FET Q2补偿它。上部FET Q2还没有由密勒效应的影响，因为其漏极连接到源极的寄生电容的充电和放电进行通过漏极电阻和负载和频率响应，如果只对高频率(以及在音频范围内的影响) 。

在共源共栅配置，输出以及从输入端隔离。Q1具有几乎恒定的电压，在源极漏极端子，而Q2具有几乎恒定的电压在其源极和栅极端子，几乎没有任何反馈从输出到输入。在电压方面的重要性的唯一点，是输入和输出端子，它们由一个中央连接的恒定电压隔离。

实用的共源共栅放大器电路。

实用共源共栅放大器电路

一个实用的基于FET的共源共栅放大器电路如上图所示。电阻R4和R5构成一个分压器偏置网络的场效应管Q2。R 3是Q2的漏极电阻，它限制了漏极电流。R 2是Q1的源极电阻和C1是旁路电容器。R1在Q1的栅极，在零信号条件下确保零电压。