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LM386中文资料介绍以及电路图详解

作者:沉默的offer时间:2018-08-01

lm386简介:LM386

是专为低损耗电源所设计的功率放大器集成电路。它的内建增益为20,透过pin 1 和pin8脚位间电容的搭配,增益最高可达200。LM386可使用电池为供应电源,输入电压范围可由4V~12V,无作动时仅消耗4mA电流,且失真低。LM386的内部电路图及引脚排列图如图1、图2所示,表1为其电气特性。

图1. 内部电路图

图2 引脚功能图

极限参数:

电源电压

(LM386N-1,-3,LM386M-1)15V

电源电压(LM386N-4)22V

封装耗散

(LM386N)1.25W

(LM386M)0.73W

(LM386MM-1)0.595W

输入电压±0.4V

储存温度-65℃至+150℃

操作温度0℃至+70℃

结温+150℃

焊接信息

焊接(10秒)260℃

小外形封装(SOIC和MSOP)

气相(60秒)215℃

红外(15秒)220℃

热电阻

qJC (DIP)37℃/W

qJA (DIP)107℃/W

qJC (SO封装)35℃/W

qJA (SO封装)172℃/W

qJA (MSOP封装)210℃/W

qJC (MSOP封装)56℃/W

表1. LM386电气特性

Parameter 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 Operating Supply Voltage (VS) 操作电源电压   - - LM386N-1,-3,LM386M-1,LM386MM-1 4 - 12 V LM386N-4 5 - 18 V Quiescent Current (IQ) 静态电流 VS = 6V, VIN =0 4 8 mA Output Power (POUT) 输出功率 -

-

LM386N-1,LM386M-1,LM386MM-1 VS = 6V, RL =8W, THD = 10% 250 325

-

mW LM386N-3 VS = 9V, RL =8W, THD = 10% 500 700 - mW LM386N-4 VS=16V, RL =32W, THD = 10% 700 1000 - mW Voltage Gain (AV) 电压增益 VS = 6V, f = 1 kHz 26 - dB 10 μF from Pin 1 to 8 46 - dB Bandwidth (BW) 宽带 VS = 6V, Pins 1 and 8 Open 300 - kHz Total Harmonic Distortion (THD)总谐波失 真 VS = 6V, RL =8W,POUT = 125 mW f = 1 kHz, Pins 1 and 8 Open - 0.2 - % Power Supply Rejection Ratio (PSRR) 电源抑制比 VS=6V, f=1kHz, CBYPASS =10 μF Pins 1 and 8 Open,Referred to Output - 50 - dB Input Resistance (RIN) 输入电阻 - - 50 - kΩ Input Bias Current (IBIAS) 输入偏置电流 VS = 6V, Pins 2 and 3 Open - 250 - nA

图3的应用电路为增益20的情形,于pin 1及pin 8间加一个10mF的电容即可使增益变成200,如图4所示。图中10kW的可变电阻是用来调整扬声器音量大小,若直接将Vin输入即为最音量最大的状态。

图3功放电路工作原理 图4

图5 调幅收音机功率放大器

图6LM386N-1 LM386N-3 LM386N-4 封装图片

图7LM386MM-1 封装图片



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