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电路设计->线性放大电路图->射频放大器电路图->2110-2170MHz射频功率MOSFET方案MRF8S21100

2110-2170MHz射频功率MOSFET方案MRF8S21100

作者:angelazhang时间:2015-01-25

方案概述

MRF8S21100HR3和MRF8S21100HSR3专为WCDMA和LTE基站2110MHz-2171MHz频率应用而设计,可用于AB类和C类典型蜂窝基站调制方式。MRF8S21100HR3和MRF8S21100HSR3具有高增益、高线性、高效率、优异的抗静电防护能力等特点,可应用Doherty及DPD等设计。

核心优势

· 高增益:用于2110MHz—2170MHz频段增益高达18dB;
· 高线性:输出10W   (WCDMA PAR=10.3dB),ACPR ≤-48dBC;
· 高效率:输出24W(Avg), η≥33% (WCDMA PAR=7.5dB) ;
· 设计广范:可应用于Doherty及DPD等设计;
· 抗静电:优异的抗静电防护能力

方案设计图

QQ截图20130625161057.png


关键词: 射频 MOSFET WCDMA LTE MRF8S2

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