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晶体管和场效应管组成的高增益放大器

作者:dolphin时间:2013-11-25

7.晶体管和场效应管组成的高增益放大器.gif

在普通的晶体管RC耦台放大器中,即使本缀选用了比较高的集电极负载电阻Rc,与
后一级电路连接后,由于后一级电路的输入阻抗较低,仍不能得到很高的等效交流负载电阻
鞋。因此,不可能得到很高的电压增益Kv。如果将晶体管和场效应管组合,则能克服这种
缺点,获得较高的电压增益o如图8-70
图中,VTi采用低噪声超卢晶体管,它
的^ FE>IOOO,可获得较低的噪声和较高的
输入阻抗。它工作在小电流状态,其工c约为
40tcA,故R c1可取300kfl的高阻值。由于
VT2为场效应管,其输入阻抗很高,不会降
低VTi的等效负载电阻。VT3为射极跟随
器,用来降低放大器的输出阻抗,并提高负
载能力。由VTi和VT2组成的两级放大器具
有很高的开环电压增益o电路中Rp为直流
负反馈调节电位器,RF及与其串联的33teF
电容组成交流负反馈。放大器具有稳定的增
益和直流工作状态。其总增益Kv= (RF+ RE)偎E,改变RF可以调节Kvo调节Rp使
VT3的射极电压为10V,放大器即为正常工作状态o电路的稳定性相当好,不用接高频补
偿电容即能工作在5~500kHz的频率范围内。不过,它的输入信号应当很小。



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