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高抗干扰型RC复位电路

作者:dolphin时间:2011-07-18

高抗干扰型RC复位电路

高抗干扰型RC 复位电路,应用于干扰较强的环境。
复位时间长短由RRES 和CRES 的值决定。
复位时间的长短,一般考虑为当系统电源稳定进入MCU 工作范围时,才可结束复位。当MCU 断电时,CRES
上的电荷应尽快完全放电。
RRES 和CRES 建议数值为100kΩ和0.1μF。
匹配电阻RN 和匹配电容CN 用于匹配内部设计,一般其数值10kΩ及0.01μF,即为RRES 和CRES 的1/10。
高抗干扰型复位电路,主要应用于强干扰环境,要求CN 电容需与MCU 的RES 和VDD 引脚的连线最短。


关键词: 抗干扰型 复位

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