工业控制 | 能源技术 | 汽车电子 | 通信网络 | 安防监控 | 智能电网 | 移动手持 | 无线技术 | 家用电器 | 数字广播 | 消费电子 | 应用软件 | 其他方案

电路设计->医疗保健电路图->医疗电子电路图->1700V SiC功率MOSFET,冷却需求更低!

1700V SiC功率MOSFET,冷却需求更低!

作者:angelazhang时间:2015-11-10

全球SiC(碳化硅)领先制造者CREE(科锐)公司近日宣布推出了低冷却需求的 1700V 碳化硅功率 MOSFET:C2M1000170D,该器件采用了2MTM MOSFET 技术和 N 沟道增强模式,典型值分别为:1 Ω、3.0 A,采用 TO-247 封装。C2M1000170D的最大优势是:针对 600V 以上的应用,可提供更低的开关损耗和更高的效率。在更高的开关频率下工作时,也能有效地降低 BOM 成本。允许更低的操作温度,发热量更少。即使在高电压和高限流条件下,也能减少系统冷却需求,从而更加稳定地运行,符合通讯设备的各种行业需求,同时适用于从服务器到逆变器的各种行业应用。


与Si器件相比,SiC器件拥有三大优势: 10倍于Si的耐压能力,更高的导热系数,3倍于Si的功率密度,以及更高的可靠性。且SiC功率开关器件的性能在阻断电压、开关速度等各方面远高于Si MOSFET。C2M1000170D在辅助电源、开关式电源中运用时,其高阻断电压可以防止损坏瞬态电压峰值。较高的开关频率则允许缩减尺寸,重量以及磁性材料的成本。还可能降低传导和切换损失。所采用单端反激变换器拓扑取代了双开关反激式变换器拓扑,从而简化系统设计,缩短研发周期。

图:CREE 的1700V碳化硅功率MOSFET C2M1000170D


C2M1000170D的产品特点:

• 具有高阻端电压与低导通电阻

• 低导通电阻RDS(on)下的高阻断电压

• 便于并联,易于驱动

• 超低漏栅电容

• 无卤素,符合RoHS规范


C2M1000170D的应用:

• 辅助电源

• 开关式电源(SMPS)

• 高压电容性负载



评论

技术专区