优化低成本BJT开关方案满足DoE和CoC新效率标准

作者：不爱吃窝瓜时间：2016-03-20

众所周知，与MOSFET相比，双极性结式晶体管(BJT)在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下，当功率级提高到3W以上时，BJT中的开关损失可能就会成为大问题。Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的双极结型晶体管(BJT)开关，能够提供比现有BJT或MOSFET开关更高的效率。新的系列器件专门适用于要求满足美国能源部(DoE)和欧盟行为准则(CoC)严格的新效率标准的充电器和适配器，帮助工程师设计出能销往美国及欧洲地区且具有更大竞争优势的产品。

LinkSwitch-4系列恒压/恒流初级侧调节(PSR)开关IC，采用高级自适应基极(Base)-发射极(Emitter)开关驱动技术，该技术还可消除与BJT相关的次级击穿，降低对电流增益变化的敏感度，从而允许使用成本极低的BJT。自适应基极-发射极开关驱动技术不仅通过大幅优化BJT开关特性来提供设计和制造过程中BJT晶体管的选择灵活性，而且还可极大提高基于BJT的方案的可靠性。

LinkSwitch-4开关IC采用高级自适应基极-发射极开关驱动技术，得以提高效率

随着美国DOE-6和欧洲COC V5能效标准实施的逼近，满足新标准的技术方案需求也日益迫切。DoE新标准DoE-6，是主要针对电池充电器与外部电源的节能标准，它要求在充电器USB电缆末端进行效率合规测量。而CoC V5着重对空载功耗、效率提出更高的要求。

LinkSwitch-4 IC集成了采用准谐振开关策略的多模式PWM/PFM控制器，可提高效率并满足<30 mW的空载功耗要求，同时仍能提供快速瞬态响应。采用65 kHz的高工作频率可减小变压器的尺寸，将最低峰值电流固定可提高瞬态负载响应速度。新器件可对众多因素进行补偿，包括：变压器电感公差、输入电压变化、电缆电压降以及外围元件温度变化。采用独有的调整技术可维持非常精确的IC参数公差。