VMOS管优质功放电路

所示o本电路的特点是由两级差放电路，由第二级差放直接推动功放
输出级。
VTi,VT2构成差分输入级，由结型场效应管VT3将栅一源极短接作为恒流源，由
RPi调节恒流源电流在工．0—1.2mA(即每管0.5～0.6mA)。
VT4、VTs构成第二级差放兼推动电路。R1l、Rl2为VT、VTs的集电极负载电阻，
其阻值大小应使在其上的电压降小于输出管rr7 -VT8的阈值电压o VT6的作用是使
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VT4和VTs的工作状态尽量接近平衡。
VT4、VTs的发射极所接的稳压管VDi是起箝位作用的，它的稳压值由前级差分管
的集电极负载电阻R3.R上的电压降来确定，本电路选用6V。
Vr7、VT8为束级功放输出管，采用V-MOS场效应管。由于V-MOS管的GS极间
耐压一般只有30～40V，所以加装稳压管Ⅵ旺、Ⅵ晚以保护其工作的安全。其稳压管的稳
压值应小于Vr7、VT8的栅一源耐压值，一般选10～12V即可o
R13.R14为抑制输出管的高频自激而设．可取数十klCl到lOOklrr，本电路取33kr2。
Ris～R17及C4.c5组成大环路负反馈网络，电路的闭环增益由尺16/ R17的比值决定