动态偏置的高保真功放电路（b）

动态偏置的方法很多，这里采用的方法如图2-123(b)所示o静态时，输出级偏置电
压由VTi、VTz提供，VT3通过Ⅵ丑、R3.VT4通过Ⅵ岛、R处于微导通状态，对
VTi VT2影响甚徽。当有信号到来时，在信号的正半周，因VT3的发射极对地电位随
着信号的增强而升高，VT3将由微导通状态转向全导通状态，使VTi的偏置电压变小，
其集射间电压cel增大，适当设置VTi的参数，使‘cel大于信号电压，而此时VT2仍处
于静态偏置状态，B点电位不高于静态时的电位。同理，在信号的负半周，U茁不小于信
号电压，A点电位不低于静态时的电位。
由上述分析可知，无论是信号的正半周还是负半周，VAB总是大于信号电压，使输出
级的两臂始终不会工作在截止状态o为进一步减小交越失真，通过调节RPi可使输出级
的静态电流大干200mAo高的静态电流有利于小信号时的放大，减少动态偏置的动作，
并可减小动态偏置滞后的影响，这也是本动态偏置电路的一个特点o
对于动态偏置电路元件的选用，VTt～VT4应选用高频低噪声小功率管，耐压大于
60V,RPi选用双连电位器，以保证调节的同步。