MOS管主要参数

MOS管主要参数：　　·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；　　·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比　　·在V_GS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使I_D开始剧增时的V_DS称为漏源击穿电压BV_DS

4. 栅源击穿电压BV_GS　　·在V_DS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导　　·导通电阻R_ON说明了V_DS对I_D的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
　　·在饱和区，I_D几乎不随V_DS改变，R_ON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间
　　·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在V_DS=0的状态下，所以这时的导通电阻R_ON可用原点的R_ON来近似
　　·对一般的MOS管而言，R_ON的数值在几百欧以内

7. 极间电容
　　·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容C_GS 、栅漏电容C_GD和漏源电容CDS
　　·C_GS和C_GD约为1～3pF
　　·C_DS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF
　　·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
　　·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输　　　出端也出现不规则的电压或电流变化
　　·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
　　·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
　　·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
　　·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小