2.3-3.5 GHz超低噪声射频晶体管，具ESD保护更安全

射频功率半导体世界领先的制造商INFINEON推出BFPx4系列射频晶体管，可以为设计师提供最好的性能，优越的灵活性和超高的性价比。该系列晶体管已广泛用于包括高频/超高频，甚至高达14 GHz的新兴无线应用领域。基于最新的LNA发明： INFINEON可靠、高容量的最大80 GHz fT硅锗:碳 (SiGe:C)异质结双极技术，使其拥有无与伦比的射频性能，包括针对静电释放(ESD)的内部电路和过度射频输入电源安全保护。

BFP842ESD为BFPx4系列中一款专为2.3 GHz 至 3.5 GHz LNA应用而设计的高性能异质结双极型晶体管（HBT)。基于英飞凌的SiGe（锗硅）：C技术，具有高增益、超低噪声的特点。其内部可以提供良好的输入功率匹配以及2.3至3.5 GHz的优良噪声匹配，无需外部匹配组件就能获得阻抗匹配以及很好的噪声指数和高增益，减少了外部零件数，并简化设计工作并加快客户产品的上市时间。对于要求低成本、高性能的应用如：路由器、AP、LNA和带有WLAN功能的设备等，BFP842ESD会是一个理想选择。

该产品在输入、输出部分还集成了保护装置，能够防止1 kV HBM的静电释放强度，也可以保护晶体管免遭输入功率高于+16 dBm的过度射频造成的损害。即使面对较低的电流和电压，也能够保持高性能,所以特别适合用于强调能源效率的便携式电池供电应用。另外，该产品采用易于使用的行业标准SOT343封装，并已通过无铅和无卤素认证。

图：英飞凌的 RF锗硅双极型晶体管

BFP842ESD的特点与优势：

•  基于英飞凌可靠、高容量的SiGe：C技术的极低噪声放大器(LNA)　　

•  独特、高端的射频性能组合：16 dBm的最大射频输入功率和1 kV HBM 的ESD强度

• 高线性度 OIP3 = 25.5 dBm；3.5 GHz 、2.5 V、15mA　　

• 高转换频率 fT = 60 GHz；高频率时具有极低的噪声指数：NFmin = 0.65 dB、3.5 GHz，2.5 V、5 mA

• 转换器增益 |S21| 2 = 16分贝@ 3.5 GHz、2.5 V、15 mA　　

• 非常适合用于低电压应用，例如VCC = 1.8 V和2.85 V (3.3 V、3.6 V则需要相应的集电极电阻)

• 低功耗，适合移动应用

• 采用易于使用的无铅(通过无铅认证)和无卤素的行业标准封装

• 符合AEC-Q101标准的有效资格报告

BFP842ESD的目标应用：

• 移动和固定连接应用：无线局域网802.11 b / g / n，WiMAX 2.5/3.5 GHz，蓝牙

• 卫星通信系统：全球卫星导航系统(GPS、GLONASS、罗盘/ Beidu /伽利略)，卫星广播(SDARs，DAB和c-band LNB)和c-band LNB(第一和第二阶段采用)

• 多媒体应用，如移动/便携式电视、移动电视、调频广播

• 3 G/4G UMTS / LTE手机应用

• ISM应用如RKE、AMR 和 Zigbee

• 在VCOs（压控振荡器）中，作为离散主动混合器、隔离放大器