工业控制 | 能源技术 | 汽车电子 | 通信网络 | 安防监控 | 智能电网 | 移动手持 | 无线技术 | 家用电器 | 数字广播 | 消费电子 | 应用软件 | 其他方案

电路设计->综合电路图->嵌入式系统电路图->业界最高密度4M串行F-RAM:百万亿级读写次数!

业界最高密度4M串行F-RAM:百万亿级读写次数!

作者:angelazhang时间:2015-08-15

Cypress公司于4月29日发布了一系列新的铁电存储器产品(F-RAM),也就是业界最高密度的4M串行F-RAM。本系列4M串行F-RAM的特性包括40MHz的SPI接口,2.0V-3.6V的工作电压范围;属于工业级标准,也符合ROHS标准。所有产品可以提供的读写次数超过100万亿次(即10的14次方)。而且还具有在85℃和65℃中,分别能保存数据10年、151年的能力。


针对那些需要连续、频繁读写,且保证数据绝对安全的场合中,Cypress的F-RAM就是最佳选择,能够为这些应用提供最理想的解决方案。在工业自动化、工业控制、工业计量、多功能打印机、测试测量设备和医疗设备中,4M串行F-RAM可以负责最关键数据读写系统与存储应用部分。


 
图 Cypress 4M串行F-RAM

“关键任务系统需要的是能够即时捕获数据瞬时状态且具有可靠功耗比的高性能存储”Cypress非易失性产品业务部副总裁Rainer Hoehler说:“Cypress新推出的4M F-RAM系列产品就提供了绝对数据安全、业界最高密度串行F-RAM的解决方案”。


Cypress是F-RAM产品的领导者和倡导者,提供了大小为4Kb至4Mb,工作电压在2.0V至5.5V的F-RAM产品。该产品允许几乎无限的百万亿级读写次数,拥有业界最节能的非易失性RAM的解决方案,可为客户在密集频繁的数据读写应用中提供最佳的解决方案。因此,Cypress的F-RAM产品广泛应用于高性能、高可靠性、低成本的非易失性RAM解决方案,包括汽车电子,工业电子、计算机、网络、智能仪表和多功能打印机等领域。




评论

技术专区