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IGBT是集MOSFET和GTR的优点的功率器件

作者:dolphin时间:2011-06-27浏览次数:4827

下面是 [IGBT是集MOSFET和GTR的优点的功率器件]的电路图
  

IGBT是集MOSFET和GTR的优点的功率器件

双极型功率器件:如晶闸管、GTR等
通流能力很高:由于有少数载流子注入对漂移区电导率的调制,即便是高压器件,电流密度亦可达到200~300A/cm2
开关速度较低,开关过程中功率消耗较大
功率MOSFET:
开关速度较高,开关过程中功率消耗较小
由于没有少数载流子的电导调制作用,使通态电阻较大,通流能力较小。一个600V功率MOSFET的最大电流密度一般只有10A/cm2左右。

双极-MOS复合器件技术
采用双极-MOS复合器件技术(简称BiMOS技术)将二者结合起来,取各方之长构成一种新的器件。
在其中:
双极器件的作用:输运主电流
MOS器件的作用:作控制开关
1、结构




解决方案


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广州华工科技 · 2016-10-21 16:39:48

富士IGBT模块中国总代理,广州华工科技开发有限公司,​ 欢迎咨询020-85511281 李生

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