DDR 存储器电源：3.3VIN，0.9V/±3A VTT (采用 1.8V 外部基准)

许多 DDR 终端应用要求总线终端电压从一个较高的系统电压进行降压，同时跟踪某个基准电压的一半。这种选项在大多数系统中都是容许的，因为通常都可以提供一个基准电压。本电路示出了一款用于3.3V 至 0.9V、±3A 终端电源的解决方案，该解决方案采用了一个 1.8V 外部基准。从一个较高的系统电压进行降压的优点是可以减少由于内部电源开关所引起的阻性损耗，从而改善效率。