工业控制 | 能源技术 | 汽车电子 | 通信网络 | 安防监控 | 智能电网 | 移动手持 | 无线技术 | 家用电器 | 数字广播 | 消费电子 | 应用软件 | 其他方案

电路设计->基础电路图->电子器件知识电路图->温度补偿晶体振荡器相关参数及术语介绍

温度补偿晶体振荡器相关参数及术语介绍

作者:dolphin时间:2011-05-03

温度补偿晶体振荡器相关参数及术语介绍
标称频率:振荡器输出的中心频率或频率的标称值.
频率准确度:振荡器输出频率在室温(25°C± 2°C)下相对于标称频率的偏差.
频率范围:某种规格的振荡器所能产生频率的频带范围.
频率稳定度:在指定温度范围内振荡器输出频率相对于25°C时测量值的最大允许频率偏差.
工作温度范围:能够保证振荡器输出频率及其他各种特性符合指标的温度范围。
老化:在确定时间内输出频率的相对变化.
电源电压:加在振荡器电源端(Vcc)的能够使振荡器正常工作的电压
电源电流:流过振荡器电源端(Vcc)的总电流.
高电平电压(VOH):在合适负载下振荡器输出高电平所允许的最小电压
低电平电压(VOL):在合适负载下振荡器输出低电平所允许的最大电压
占空比:反映输出波形的对称性,也就是,在一个周期内,高电平与低电平所占比例之比。
上升时间(Tr):方波从低电平转变为高电平的时间。
下降时间(Tf):方波从高电平转变为低电平的时间。
相位噪声:用于表述振荡器的短期频率波动,通常定义为载波发生某一频率偏移时在1Hz带宽内的单边带功率密度,单位为dBc/Hz。
 HCMOS/TTL 兼容:设计振荡器使之既能驱动TTL负载,又能驱动HCMOSL负载,同时维持最小的HCMOS逻辑高电平.
扇出:描述振荡器带负载的能力,表示一个输出能带负载的数目,可用一个等效负载电容CL表示,或者用一个由二极管、负载电阻及一个电容组成的TTL负载电路表示。



评论

技术专区