PIN光电二极管结构及等效电路图
PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor),形成P-I-N结构而得名,如图12.1所示:
如图12.1所示,处于反偏状态的器件,电源在PN结形成的电场E与内建电场Ei同方向,使耗尽区加宽。当光波注入时,能在较宽的范
围内激发出载流子,由于i区有电场,光生载流子以较快的漂移速度向电极移动,形成外部电流:
PIN光电二极管是在PN结的P型层和N型层之间夹了一层本征半导体(semiconductor),形成P-I-N结构而得名,如图12.1所示:
如图12.1所示,处于反偏状态的器件,电源在PN结形成的电场E与内建电场Ei同方向,使耗尽区加宽。当光波注入时,能在较宽的范
围内激发出载流子,由于i区有电场,光生载流子以较快的漂移速度向电极移动,形成外部电流:
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