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大功率三极管的散热问题及选型

作者:dolphin时间:2011-05-03

在功率放大器中,晶体管因 BC 结反向电压可观,本身要消耗一部分直流功率,称为管子的热管耗。若管耗超过它的散热能力,其结温就免不了要升高。结温生高会引起集电极电流增加,进一步使结温增加,形成恶性循环。结温升高到极限值之外,就免不了会烧坏。这称为管子的热击穿。结温的升高程度和集电极功耗 Pc 以及管子本身的散热条件有关。设计中应仔细考虑管子的热阻情况。
当晶体管中的各种电流都为零时,管子的结温Tj等于环境温度 Ta 。晶体管工作时,结温增加,Tj> Ta 。只要结温Tj小于管子允许的最大结温Tjm ,那么由于Tj的升高,温差增加,散热功率也会增加,最终会在某一个结温下达到热平衡,这时的集电极功耗等于热散失功率,结温就不会再升高,并且满足如下关系:
Pc=P=(Tj-Ta)/Rt
其中 Rt 表示晶体管的热阻。上边的关系显然仅在Tj<Tjm 时成立。如果集电极功耗 Pc 很大,管子热阻Rt也很大,使得当结温升高到Tjm 时还不能达到热平衡,那么集电结将会因为过热而被损坏。当 Ta 、Rt确定时,为了不使毛超过Tjm ,集电极功耗不能超过集电极允许最大直流功耗 Pcm ,即是:
Pcm=(Tjm-Ta) /Rt
其中的Tjm 取决于半导体材料,锗管的Tjm大约为 75~100 摄氏度,硅管的大约为 175~200 摄氏度;热阻 Rt 取决于管子的结构、体积大小。
一般小功率管的Rt为 0.2 -1C/mW 。很明显环境温度越高,允许集电极最大功耗越小。晶体管参数中的 Pcm 是指环境温度为 25 度条件下测量得到的。在实际使用时最起码要满足 Pc O.9Pcm 。对于瓦级以上的晶体管还应该设计正确的散热片来降低热阻。

器件频率与极型选择

这里的器件频率主要是指在设计电路时,正确地选择器件的极限工作频率,使得计算值尽量与实际情况相
符合,保证在线性电路中的信号不发生畸变。常规原则是:器件的截止频率 Ft 最好能大于信号的最高频率十倍以上。但并不是截止频率越高 就越好,太高的器件频率不但是成本浪费,还会使电路增加自激振荡的机会。极型选择是指 BJT 是用 PNP 还是 NPN 管。这应该在确定电源形 式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连,对于硅管来说往往是集电极。在需要以某极接地时应考虑这个因素。



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