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常用电子元器件的原理与使用

作者:dolphin时间:2017-04-13

半导体基本知识:

半导体二极管、三极管、场效应管是电路中最常用的半导体器件,PN结是构成各种半导体器件的重要基础。
导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。具有热敏、光敏、掺杂特性;根据掺入的杂质不同,可分为:N型半导体、P型半导体。

PN结是采用特定的制造工艺,使一块半导体的两边分别形成P型半导体和N型半导体,它们交界面就形成PN结。PN结具有单向导电性,即在P端加正电压,N端接负时PN结电阻很低,PN结处于导通状态,加反向电压时,PN结呈高阻状态,为截止,漏电流很小。

一、二极管

将PN结加上相应的电极引线和管壳就成为半导体二极管。
P结引出的电极称为阳极(正极),N结引出的电极称为阴极(负极),原理图中一般常用D1、D2、D?等表示。

二极管正向导通特性(死区电压):硅管的死区电压大于0。5V,诸管大于0。1V。用数字式万用表的二极管档可直接测量出正极和负极。利用二极管的单向导电性可以组成整流电路。将交流电压变为单向脉动电压。
使用注意事项:
1、在整流电路中流过二极管的平均电流不能超过其最大整流电流;
2、在震荡电路或有电感的回路中注意其最高反向击穿电压的使用问题;
3、整流二极管不应直接串联(大电流时)或并联使用,串联使用时,每个二极管应并联一个均压电阻,其大小按100V(峰值)70K左右计算,并联使用时,每个二极管应串联10欧的电阻均流,以免个别元件过载。
4、二极管在容性负载线路中使用时,额定整流电流值应降低20%使用。

分类:稳压二极管、光敏二极管、发光二极管、变容二极管、肖特基二极管、快恢复二极管等。
1、
光敏二极管,又称光电二极管,其PN结也是工作在反偏状态(和稳压二极管一样),是一种光接受器件;其反向电流随光照强度的增加而上升,反向电流与照度成正比。其可用于光的测量,当制成大面积的光电二极管时,能将光能直接转换成电能,就是光电池。
2、光敏电阻 也是利用半导体光电材料制成的,在光的照射下其电阻值随光的强度变化,光照越强阻值越小,其符号如图:

二、三极管

三极管顾名思义,就是器件有三个电极,本站只做简单的介绍;三极管的物理结构是由PN结构成的,这样因PN 结有正负和方向性,所以其不同的组合就构成NPN、PNP两种类型符号如图:
NPN型正确使用为Vc>Vb>Ve;PNP型正确使用为:Ve>Vb>Vc

三极管结构上的特点是:含有两个背靠背的PN结,发射区掺杂浓度高,基区很薄且掺杂浓度低,集电结面积大等。以上特点就使三极管具有电流放大的作用。其放大倍数用β表示,使用时可以根据需要选用。原理图中常用Q1、Q2、Q?等表示。

三极管的主要参数:
1。电流放大系数/β、β
(1)共射直流放大倍数/β:当三极管接成共发射电路时,在静态(无输入信号)时集电极电流Ic(输出电流)与基极电流Ib(输入电流)的比值称为共发射静态电流(直流)放大系数
/β=Ic/Ib
(2)共射交流电流放大倍数β:当三极管工作在动态(有输入信号)时,基极电流的变化量为△Ib,它引起集电极电流的变化量△Ic. β=△Ic/△Ib
2。极间反向电流
(1)Icbo为发射极开路时,集电极和基极间的反向饱和电流,小功率硅管的Icbo小于1uA,诸管的Icbo约为10uA左右。
(2)Iceo为基极开路时,由集电极穿过基极流入发射区的穿透电流,它是Icbo的(1+/β)倍。
Iceo=(1 +/β)*Icbo
由于Icbo受温度影响很大,故温度变化对Iceo和Ic的影响更大,选用管子时,一般希望极间反向饱和电流尽量小些。

三极管在使用时其输出特性分为四个工作区:
1。放大区,在放大区,Ic=/βIb,Ic和Ib成正比的关系。三极管处于放大状态的条件是发射结正偏,集电结反偏。
2。截止区,硅管Ube小于0.5V时,即截止,
3。饱和区,指Ic不能随Ib的增大而成比例增大,即Ic处于“饱和”状态。此时发射结和集电结都处于正向偏置。
4。击穿区,当Uce大于某一值后,Ic开始剧增,这个现象称为一次击穿,三极管一次击穿后,集电极电流突增,只要电路中有合适的限流电阻,击穿电流不过大,时间短时,三极管是不至于烧毁的。在集电极电压降低后,三极管仍能恢复正常工作,所以一次击穿过程是可逆的。
三、电阻

电阻是:起限流、降压作用。

电阻的分类与命名方法:

第一部分:主称第二部分:材料第三部分:特征分类第四部分
符号意义符号意义符号意义
电阻器电位器
R电阻器T碳膜1普通普通
W电位器H合成膜2
S有机实心3超高频
N无机4高阻
J金属膜5高温
Y氧化膜6
C沉积膜7精密
I玻璃8高压
P硼碳9特殊
U硅碳G高功率
X线绕T可调
M压敏W微调
G光敏D多圈
R热敏B温度
C  
P旁热 
W稳压 
Z正温度 



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