IR2304典型应用电路图

ＩＲ２３０４的典型接线如图２所示，图中ＶＣＣ为１０～２５Ｖ功率管门极驱动电源，可用ＴＴＬ或ＣＭＯＳ逻辑信号作为输入，因此ＶＣＣ可用一个典型值为＋１５Ｖ的电源。Ｃ２为自举电容，当ＶＴ１关断、ＶＴ２开通时，ＶＣＣ经ＶＤ、Ｃ２、负载、ＶＴ２给Ｃ２充电，以确保ＶＴ２关断、ＶＴ１开通时，ＶＴ１管的栅极靠Ｃ２上足够的储能来驱动，从而实现自举式驱动。若负载阻抗较大，Ｃ２经负载降压充电较慢，使得当ＶＴ２关断、ＶＴ１开通时Ｃ２上的电压仍不能充电至自举电压８．２Ｖ以上时，输出驱动信号会因欠压被片内逻辑封锁，ＶＴ１就无法正常工作。每个周期ＶＴ１开关一次，Ｃ２就通过开关ＶＴ２充电一次。因此，Ｃ２的容量选择应考虑如下几点：
（１）Ｃ２应为高稳定、低串联电感、高频率特性的优质电容，容量为０．１～１μＦ。
（２）尽量使自举上电回路不经大阻抗负载，否则应为Ｃ２充电提供快速充电通路。
（３）ＰＷＭ开关频率较高时，Ｃ２应选小。当ＰＷＭ工作频率较低时，若占空比较高，则ＶＴ１开通时间较长，ＶＴ２开通时间较短，因此Ｃ２应选小；若占空比较低，ＶＴ１导通脉宽较窄，则ＶＴ２导通脉宽较宽，自举电压容易满足。否则，在有限时间内无法达到自举电压，从而造成欠压保护电路工作。因此，Ｃ２的选择应综合考虑ＰＷＭ变化的各种情况，最好在调试时监测ＨＯ、ＶＳ脚的波形。