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电路设计->基础电路图->电子入门电路图->晶体管开关电路的设计

晶体管开关电路的设计

作者:dolphin时间:2017-07-26

序言:
(1)说明:一直以来我都对三极管开关电路很疑惑,比如驱动继电器和三极管
到底是用PNP还是NPN,到底是将负载放到三极管上面还是下面?为此
专门仔细阅读了《晶体管电路设计(下)》晶体管开关电路部分,得
实验结果若干,与大家共享。
(2)参考书籍:《晶体管电路设计(下)》
提要:
1.发射极接地型开关电路
2.提高开关速度的方法-(1)使用加速电容
(2)肖特基箍位
3.射极跟随器型开关电路
4.注:所用三极管为9011(NPN)
正文:

1.我翻过论坛里关于晶体管开关的很多帖子,我将网友的观点总结如下:
1、2接法:(1)可以让三极管深度饱和,是管压降在0.2V左右,
(2)这样可以降低功耗。
(3)缺点:开关速度慢

3、4接法:(1)可以不加其他元件直接应用(不用串联基极电阻)
(2)开关速度快
(3)缺点:射极跟随器,工作在放大状态,压降较大,不能深度饱和


2.提高开关速度的方法
(1)使用加速电容(有点效果,但远没有书中的明显,或许因为9011的特性比书作者
的好,即使不接加速电容效果也相对不错)

(2)肖特基箍位(很杯具,效果不仅没变好,反而变得更糟糕,很疑惑这里到底出了
什么问题,与书上的结果差距这么大!)




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