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缓冲电路的基本结构

作者:dolphin时间:2017-07-26

缓冲电路的功能包括抑制和吸收二个方面。图3(a)是这种电路的基本结构,串联的LS用于抑制di/dt的过量,并联的CS通过快速二极管DS充电,吸收器件上出现的过电压能量,由于电容电压不会跃变,限制了重加du/dt。当器件开通时CS上的能量经RS泄放。对于工作频率较高、容量较小的装置,为了减少损耗,可将图3(a)的RLCD电路简化为图3(b)的形式。这种由RCD网络构成的缓冲电路普遍用于GTR、GTO、电力MOSFET及IGBT等电力电子器件的保护。

  图4所示的几种缓冲电路是上述基本RCD缓冲电路的简化或演变。如图4所示,既可用于逆变器中IGBT模块的保护,也适用于其他电子器件的缓冲保护;但其性能有所不同。图4(a)是最简单的单电容电路,适用于小容量的IGBT模块(10~50A)或其他容量较小的器件;但由于电路中有无阻尼元件,容易产生振荡,为此CS中可串入RS加以抑制,这种RC缓冲电路在晶闸管的保护中已用得很普遍。图4(b)是把RCD缓冲电路用于由两只IGBT组成桥臂的模块上,此电路比较简单;但吸收功能较单独使用RCD时略差,多用于小容量元件的逆变器桥臂上。有时还可以把图4(a)、图4(b)两种缓冲电路并联使用,以增强缓冲吸收的功能。图4(c)是RS交叉连结的缓冲电路,当器件开断时,CS经DS充电,抑制du/dt;当器件开通前,CS经电源和RS释入电荷,同时有部分能量得到反馈,这种电路对大容量的器件,例如,400A以上的IGBT模块比较适合。

  图4(d)是大功率GTO逆变桥臂上的非对称RLCD缓冲电路。图4(d)中电感受LS经过DS和RS释放磁场能量。GTO开断时,CS经DS吸收能量并经RS把部分能量反馈到电网上去;因此损耗较小,适用于大容量的GTO逆变器。图4(c)和图4(d)的功能类似,其CS具有吸收电能和电压箝位双重功能,且效率较高。
  图4(e)是三角形吸收电路,这里吸收电容C1~C3为三角形联结,在T1关断时,并联在T1两端的总吸收电容量C3和C2串联再和C1并联后组成,即总电容量是 。这种电路的特点是:①3只电容器之间几乎不需要连结线,所以寄生电感极小;②在电力电子器件工作过程中每只电容器都参予工作,电容器利用率高;③电路的损耗较小,日立公司曾在一定的条件下进行试验比较,这种电路的损耗约为RCD电路损耗的40%,因此我国研制中的CTO交流传动电力机车逆变器也采用这种电路,其GTO的规格为3000A、4500V,吸收电容量为C1=C2=C3=18μF。

  缓冲电路引线中的杂散电感L’S必须限制到最小,以防止电力电子器件在关断时出现电压尖峰,并消除杂散电感与缓冲电路中CS构成谐振回路所产生的振荡。图5是以电感性负载中的GTO的缓冲电路为例,说明杂散电感L’S对关断过程中阳极电压产生尖峰电压UP的影响。在阳极电流迅速下降时,随着CS快速充电,L’S上所产生的L’SdiS/dt电势加在GTO上;故L’S越大,UP越大,管耗Poff也越严重。此外,在感性负载下阳极电流下降率diA/dt与缓冲电路中的电流上升率diS/dt相等,故负载电流越大,下降越快,L’SdiS/d也越大,同样会产生严重后果。所以缓冲电路中的R、C、D等元件也力求采用无感元件。


关键词: 缓冲 电路 基本 结构

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