TTL异或门电路原理图
TTL门电路工作速度相对于MOS较快,但由于当输出为低电平时T5工作在深度饱和状态,当输出由低转为高电平,由于在基区和集电区有存储电荷不能马上消散,而影响工作速度。
改进型TTL与非门可能工作在饱和状态下的晶体管T1、T2、T3、T5都用带有肖特基势垒二极管(SBD)的三极管代替,以限制其饱和深度,提高工作速度改进型TTL与非门增加有源泄放电路。
TTL门电路工作速度相对于MOS较快,但由于当输出为低电平时T5工作在深度饱和状态,当输出由低转为高电平,由于在基区和集电区有存储电荷不能马上消散,而影响工作速度。
改进型TTL与非门可能工作在饱和状态下的晶体管T1、T2、T3、T5都用带有肖特基势垒二极管(SBD)的三极管代替,以限制其饱和深度,提高工作速度改进型TTL与非门增加有源泄放电路。
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