电子高手的学习经验总结（3）

1、250mV的噪声电平对5V电源来说也许是可接受的，但对1V电源来说就是灾难了。2、三极管最基本的作用是放大，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。3、需要注意的是，CMOS集成电路容易被静电击穿，因此需要妥善保存。一般要放在防静电原包装条中，或用锡箔纸包好。4、在保持输出电容总容量不变的前提下，把原来的一个电容拆分成几个电容的并联，这样，随着电容容量的减少其ESR 相应减少，把几个电容并联后，总的ESR是单个电容的几分之一。5、目前抑制EMI的技术措施有屏蔽、接地（浮地、单点接地和接地网）与滤波。6.使运放实现高速的主要措施有： （1）在信号通道中尽量采用NPN型管，以提高转换速率； （2）同时加大工作电流，以使电路中各种电容的电压变化加快； （3）在电路结构上采用FET和BJT相兼容，或使用全MOSFET结构，使电路的输入动态范围加大，因而电路转换速率也增加。7、LC选频网络容易达到较高的Q值，容许器件进入强非线性区，一般用于设计高频振荡器。而RC振荡器一般工作于低频点。8、在实际电路中，负阻器件肯定是有源器件，负阻振荡器它主要工作在100MHz以上的超高频段。9、锁相环其实是一个非线性系统，非线性系统平衡状态的稳定性不仅与系统本身的参数有关，而且与外加干扰强度有关。10、一般要求接口芯片工作区域要离开高速数字信号，特别要禁止这些高速翻转的信号穿越小信号布线区。11、微弱电压信号（如来自传感器的电压信号），实现远距离传输比较困难，需要将电压信号转换为电流再进行传输，这样可以得到很好的性能。采用电流信号的原因是不容易受干扰，电流源内阻无穷大，导线电阻串联在回路中不影响精度。12、进行比例运算时多是同相输入，这是为了使输入电阻非常大，而反向输入则达不到这种效果。13、在ANSI C标准中的标准用法就是用C语言编写主程序，用汇编语言编写子程序、中断服务程序、一些算法，然后用C语言调用这些汇编程序，这样效率会相对比较高。14、差模干扰在两导线之间传输，属于对称性干扰；共模干扰在导线与地（机壳）之间传输，属于非对称性干扰。15、一个编程经验是，所有的中断都要尽快的运行和退出，中断服务程序越短越好，这样才不至于干扰主程序的工作和其他中断的运行。16、不要成为灌输教育的牺牲品。17、低频时放大器的输出阻抗非常小，趋向于0，但是在高频时需要仔细考虑。18、精密应用时，运放外部电阻应选用K欧姆级的电阻：（1）多数精密运放的输出电流驱动能力在几十毫安，难以带动百欧级以下的反馈电阻；（2）电阻越小，会导致更大的功耗，精密类应用常常是低功耗需求；（3）由于反馈电阻网络的作用，使得运放的输入阻抗降低，这时选择10K还是100K级的电阻需要看输入源的内阻抗；（4）选择大的电阻时，要小心其热噪声。19、高速应用时，运放外部电阻一般选择100欧姆级或10欧姆级的电阻：
（1）主要原因是，输入和输出寄生电容和大电阻作用后会大大降低运放的带宽； （2）此时输入源阻抗一般是50欧姆，容易匹配； （3）高速运放带负载能力强，百欧级以下的反馈电阻通常不是问题。20、在功率放大器中，管子的运用状态从甲类转向乙类、丙类或开关状态的丁类，目的都是为了高效率地输出所需功率。21、负反馈也可以称为衰减反馈，虽然会牺牲系统一定程度的控制增益，却可以稳定控制回路的很多性能。22、功率放大器中信号摆动幅度很大，往往超出晶体管的线性工作区，很小的饱和、截止失真都会带来较大的非线性失真。23、放大电路的耦合电容和旁路电容是引起低频响应的主要原因；三极管的结电容和分布电容是引起放大电路高频响应的主要原因。24、RS-232为了增加抗干扰能力，采用负逻辑电路。+5V~+15V定义为逻辑0，而-15V~-5V定义为逻辑1。25、电源和地对高频信号是等效的。因为电源的内阻很小，提供低阻路径。26、CMOS门电路工作时，总是一管导通而另一管截止，因而几乎不从电源吸取电流，其功耗极低。27、一般电源的输入输出端都接有电容，而且是一大一小，大容量电容是低频滤波作用，小容量电容是高频滤波用。需提醒的是输出端一般不要接过大容量电容，一般接几十微法的就可以了。否则有些电路中会出现关闭电源后，输出端电容向前级稳压IC放电的过程，这容易损坏稳压IC。28、去耦电容应放置于电源入口处，连线应尽可能短。29、电容降压实际上是利用容抗限流，而电容器实际上起到一个限制电流和动态分配电容器和负载两端电压的角色。30、对使用高电压及大电流运算放大器的特定应用而言，可以采用单电源供电使其切实地获益。31、LED的亮度由其上流过的电流大小决定，因此LED的光特性通常都描述为电流的函数，而不是电压的函数，采用恒流源驱动可以更好地控制亮度。