齐纳二极管电路设计

　　描述

一个齐纳二极管在此电路中功率晶体管的“放大” 。晶体管大幅增加的负载电流和功率。

　　

　　在此电路中D1 的注意事项是齐纳二极管(其权力将被放大 )。在此电路中，被选为BZX84系列齐纳二极管的47V齐纳 。第一季度和第二季度形成一个达林顿对，大大提高电流驱动。最后一个阶段是6个并行连接的功率晶体管，第三季度的设置- Q8。负载电压的输出配置，确保每个功率晶体管提供输出负载总功率的1 / 6。

　　

　　该电路的输入电压必须超过至少10伏特的输出电压。此外，齐纳电压的标称值将三基极-发射极电压低，输出。这是因为Q1，Q2和Q3 - Q8所有缓冲的齐纳二极管的输出电流。此外压降，一个额外的好处是，C8有效的价值也由Q1，Q2和Q3 - Q8的电流增益产品放大 。上面的图是极端的并说明提供24安培下一个小的阻性负载42V的输出电压 ，功率耗散

　　

　　在每个功率晶体管disipated的功率是集电极发射极电压和发射极电流的产品。对于一个24安培的负载，这相当于约56瓦每晶体管。因此，需要一位慷慨的散热器。此外，由于三重在第一季度的Vbe下降，第二季度和第三季度的电路是不是作为一个专门volatge的稳压器IC效率，但在这里显示为一个提供极端负载的电源的例子。