逆变器电路图二

　　电路工作原理

　　该逆变器电路由低频振荡器、缓冲器和推挽放大输出电路组成，如图所示。

　　图 逆变器电路

　　低频振荡器由非门集成电路IC（D1～D4）内部的两个非门电路D1、D2和电阻器R1、电位器RP、电容器C组成。

　　缓冲器由IC内部的非门电路D3、D4和电阻器R2、R3组成。

　　推挽放大输出电路由稳压二极管VS1、VS2、VM0S场效应晶体管VF1、VF2和变压器T组成。

　　电阻器R4、二极管VD和稳压二极管VS3组成IC的供电电路。

　　发光二极管V1，和电阻器R5组成工作指示电路。

　　接通电源开关S后，低频振荡器振荡工作并产生50Hz振荡信号。该振荡信号经非门D3缓冲、整形后，一路经电阻器R3直接加至VF2的栅极，另一路经非门D4反相处理后再经R2加至VFI的栅极，使VF1在振荡信号的正半周时导通工作，VF2在振荡信号的负半周期间导通工作。经VF1和VF2推挽功率放大处理后，在T的二次绕组两端产生交流220V电压。

　　调整R1、RP的阻值或C的容量值，使振荡信号的频率为50Hz。

　　元器件选择

　　R1～R5选用1／4W碳膜电阻器或金属膜电阻器。

　　RP选用可锁定电位器，或调好振荡频率后用固定电阻器代替。

　　C选用独石电容器或涤纶电容器。

　　VD选用1N4007型硅整流二极管。

　　VS1～VS3均选用1W硅稳压二极管。

　　VL选用Φ5mm的普通发光二极管。

　　VF1和VF2均选用V75A型大功率VM0S场效应晶体管（为增大输出功率，可用多只VM0S场效应晶体管并联使用）。

　　IC选用CD4069型六非门集成电路。

　　T选用150～300W、220V／12V×2（带抽头）电源变压器。

　　S选用触头电流为10A的电源开关。

　　GB选用12V、120～150A・h的铅酸蓄电池。