IGBT无损吸收网络电路原理图

　　如图所示该直流电压分600V和1200V两档，特点是低介质损耗、低电感量、高峰值电流、缓冲二极管极低恢复电荷、防火树脂封装、有导线与外部相连。吸收网络一般选用小功率快恢二极管，它承受低的平均电流和大的峰值电流。特别的是，二极管必须有较低的恢复电荷，如果恢复电荷过大，电容器中储存的能量将不能保证网络在下一个周期复位。本文中的CDE缓冲电容模块封装的超快恢复二极管在这一方面有着优异的性能。此外，和电容器并联的电感器必须最小化。应通过改变绕组的结构来减小绕组的寄生电容。采取层绕法的寄生电容最大，而分段绕和叠绕技术可以减小绕组的寄生电容。