晶体管的伏安特性曲线

晶体管的伏安特性曲线

　　在较低正向电压下，只有很小的漏电流Ifx。当正向电压很高时，反偏的J2击穿，这时的正向电压叫做正向转折电压Upo。晶闸管达到饱和时，阳阴极电压立刻下降到正向导通电压Up。现在考虑反向特性。当晶闸管的阳阴极间加反向电压时。有一小的反向漏电流IRx流动。反向电压增加时，IRx基本保持不变。当反向电压增加到某一数值时，J1和J3雪崩击穿，反向电流剧增，这时所对应的电压叫做反向击穿电压UbR。从图l-4中也可看出，在正向特性中。当Igo时，晶闸管容易导通，正向转折电压降愈大，正向转折电压愈低。正向特性曲线中，导通之前的区域叫正向阻断区。