IGBT充电电路

　　采用IGBT作开关元件时，逆变器电路采用率联谐振逆变电路，如图3-33所示。这种电路的设计和工作原理与用SCR作开关的电路相同。要注意的是，IGBT和VMOS的控制极脉冲宽度必须等于或稍大于谐振电流的流通时间。
　　采用IGBT或VMOS器件后，由于它们的导通受栅极控制，因而一般情况下，负载不短路是不会发生连通现象的，因此对这种器件做的电源主要的防止负载短路造成过流事故。
　　电路中，对VMOS和IGBT的保护很重要，为了防止过压采用RC吸收电路和其它过压保护电路。半桥电路对开关元件的耐压要求降低。所以常被选用。在逆变器回路中，电感元件很关键，它的大小决定了电流的峰值和平均值的大小，因此在谐振回路中C3一定时，尽可能选用大 的电感。