高性能和高密度大电流POL设计

概述：
所有的电子产品都像我们这个世界一样正在不断缩小。随着电路功能和集成度的提高，PCB板的空间变得弥足珍贵。主要的板空间要分配给应用的内核功能，这些 应用包括微处理器、FPGA、ASIC以及与其相关的高速 数据通道和支持元件。虽然设计者并不想这样做，但是电源却必须压缩到剩下的有限空间之内。功能和密度的增加，耗电也相应增加。这就为电源设计者带来了一个 很大的挑战，即如何以更小的占位提供更高的电源？

答案说起来非常简单：提高效率并同时提高开关频率。而实际上，这却是一个很难解决的问题，因为更高的效率和更高开关频率是互相排斥的。尽管如此，IR公司IR3847大电流负载点(POL)集成稳压器的设计者还是开发出来了采用集成型MOSFET的DC-DC降压转换器，该转换器可以在一个紧凑的5×6 mm封装中(如图1)，将IR第三代SupIRBuck系列的额定电流扩展到25A。

图1: IR3847 5x6 mm QFN封装。

这一解决方案拉动了三个领域的共同创新：IC封装、IC开关稳压器电路设计和高效MOSFET。由于最新的热增强型封装采用铜片，控制器中的创新是针对大于1MHz开关频率的控制器和IR的最新一代，即12.5代 MOSFET，IR3847可以在无散热器的情况下，在25A的电流下运行，与采用控制器和功率MOSFET的分立式解决方案相比，又将PCB的尺寸缩减了70%。利用IR3847(图2)，在一个小至168mm2的面积内，现在可以实现完整的25A电源解决方案。
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