电源设计小贴士42：可替代集成MOSFET的分立器件（PDF含电路图！）

描述：

在电源设计中，工程师通常会面临控制IC驱动电流不足的问题，或者面临由于栅极驱动损耗导致控制IC功耗过大的问题。为缓解这一问题，工程师通常会采用外部驱动器。半导体厂商（包括TI在内）拥有现成的MOSFET集成电路驱动器解决方案，但这通常不是成本最低的解决方案。通常会选择价值几美分的分立器件。

本文中图3显示了一款可使您跨越隔离边界的简单缓冲器变量情况。一个信号电平变压器由一个对称双极驱动信号来驱动。变压器次级绕组用于生成缓冲器电力并为缓冲器提供输入信号。二极管D1和D2对来自变压器的电压进行调整，而晶体管Q1和Q2则用于缓冲变压器输出阻抗以提供大电流脉冲，从而对连接输出端的FET进行充电和放电。该电路效率极高且具有50%的占空比输入（请参见图3中较低的驱动信号），因为其将驱动FET栅极为负并可提供快速开关，从而最小化开关损耗。这非常适用于相移全桥接转换器。

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