专为 1200-1400MHz功率放大器而生：高增益LDMOS FET

英飞凌针对400 MHz至1400 MHz频段的脉冲应用提供了一系列的晶体管。该系列的晶体管具有高增益、高功率、高效率的特性，能够帮助客户实现紧凑、高效的放大器。不仅如此，英飞凌先进的LDMOS技术和高容量优势，全自动化组装与测试生产线的完美结合，能够给晶体管提供卓越的可靠性和一致性。

其中两款型号为PTVA127002EV和PTVA123501FC的LDMOS FET是专为1200-1400MHz的功率放大器设计的。PTVA127002EV的峰值功率为700W，PTVA123501FC的峰值功率则为350W；它们不仅拥有高增益与热增强型的法兰封装，而且还可提供出色的散热性能和卓越的可靠性，这些特点在实际应用中能够保证产品的寿命和稳定性。

图1：700W的LDMOS场效应晶体管PTVA127002EV

图2： 350W的LDMOS场效应晶体管PTVA123501FC

PTVA127002EV和PTVA123501FC的RF特性如下：

• 宽带输入和输出匹配

• 高增益高效率

• 集成ESD保护

• 热阻低

• 耐用性高

• 通过无铅认证

• 在300μS脉冲宽度、10％占空比的RF脉冲下，能够承受一个10：1的负载失配（所有相位角）