第三代双倍数据率SDRAM:让您的数据传输事半功倍
AS4C512M8D3-12BxN是半导体存储器领导品牌ALLIANCE MEMORY推出的第三代双倍数据率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM),其存储容量为4Gb(512M x 8bit)。该款芯片通过双倍数据率架构的设计,可根据两个不同时钟对数据进行锁存,通过该种方式,AS4C512M8D3-12BxN可在与其他普通SDRAM相同时钟频率的情况下,将数据传输速率提升一倍,或者在时钟频率仅为普通SDRAM一半时,也可获得相同数据传输速率,即降低了时钟频率,这意味着降低了硬件设计的难度。AS4C512M8D3-12BxN的最高时钟频率为800MHz,当以每个IO口计算数据传输速率时,其最高速度可达1600Mb/s。该款芯片在使用时分为8个Bank,每个Bank为64Mbit x 8 ,采用完全同步操作,并且符合JEDEC时钟抖动规范。
AS4C512M8D3-12BxN符合JEDEC标准,其商业级工作温度范围为0~95℃,工业级工作温度范围为-40~95℃。该芯片采用78球的FBGA封装,封装尺寸为9mm x 10.5mm x 1.2mm,大容量小尺寸,在保证需求的基础上,提高了硬件设计的灵活性。
AS4C512M8D3-12BxN的主要特点:
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供电电压:+1.5V±0.075V;
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最高时钟速率800MHz;
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内部容量:4Gb(512M x 8bit);
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最高数据率(以每个IO口的数据率计):1600Mb/s;
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支持自动刷新和自我更新;
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采用FBGA封装,封装尺寸:9mm x 10.5mm x 1.2mm;
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工作温度范围:商业级(0~95℃),工业级(-40~95℃);
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符合JEDEC时钟抖动要求;
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兼容JEDEC标准;
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符合RoHS要求。
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