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100W级超大功率射频LDMOS FET

作者:angelazhang时间:2015-08-13

英飞凌半导体公司近日推出一款型号为PXAC261002FC_V1超大功率射频LDMOS FET,该器件工作频率范围为2496~2690MHz, 最大输出功率可达100W。该款射频LDMOS采用非对称设计,主要针对具有多重标准单元的功率放大应用。

PXAC261002FC_V1采用双路设计,具有高增益,增益最高可达19.1dB。同时,该LDMOS FET采用英飞凌先进的LDMOS工艺进行生产制造,并配合热阻加强型封装设计,具有良好的热阻表现及出色的稳定性,热阻仅为0.6℃/W,而结温可达225℃,低热阻高结温保证了器件在大功率应用中不会因为LDMOS FET过热导致系统故障。此外,PXAC261002FC_V1的导通电阻低,其典型导通电阻为0.3Ω,峰值情况下时仅为0.16Ω,并且该LDMOS FET还具有高效率,最高转换效率可达63.4%。PXAC261002FC_V1作为一款超大功率射频LDMOS FET主要面向于双载波WCDMA驱动放大设计,并可用于对3GPP WCDMA信号的放大。

 
PXAC261002FC_V1实物图


PXAC261002FC_V1的主要特点:

• 最高工作电压:32V

• 宽带内部输入输出匹配

• 采用非对称设计,P1dB(1dB压缩点)载波功放达40W,峰值功放达70W

• 脉冲测试,频率2590MHz,工作电压26V,周期160us,占空比10%,采用Doherty结构,P1dB可达46.5dBm,P3dB可达50.1dBm

• 具有低热阻,仅为0.6℃/W,结温可达225℃

• 工作电压28V,输出功率100W时,可以承受10:1的驻波比失配

• 集成ESD保护功能,符合人体模型1C级标准要求(JESD22-A114)

• 采用H-37248-4封装,尺寸为20.57mm x 19.43mm x3.76mm

• 不含铅(Pb-free),符合RoHS标准要求


关键词: PXAC261002FC_V1 LDMOS FET

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