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大电容充电的“控制器”电路设计

作者:dolphin时间:2012-11-07

  一个法拉电容需要一定的照顾。这是一个常见的??知识,他们必须与限流电阻预先收取堵塞英寸之前,它是不常见的知识,那些五十元“的智能上限控制器”,其实是非常简单的设备,部件和人工两美元。这是一个基本的第交换机将连接电容到地,只有当它的被控在0.4 - 0.7V的电池电压(否则,它的充电电流通过一个22欧姆的电阻,它可以是一个低功率12V灯泡,太)。

  

  请注意,当电路是开放的,高电流消耗开始dicharging的电容(低通道电阻的N - MOS - IRF1010,IRFP054,IRF048,P60N06等)T1实际上是在相反的方向进行(syncronous整流器:S - D D - S)。这是一个完全开放的MOS场效应管的“确定”。该电路可建立在P - channek器件,但它们是N多渠道本身更糟的导体。

  这么便宜,简单的电路需要散热片。正如很多场效应管并行必要的(有一个共同的闸门控制网络)。由于放大器(AB类)有用的输出/瓦特/每个FET的RDS / /欧姆,最大1瓦,每个散热,晶体管的数量N = 1 / 6 * P * SQRT(RDS)。实际上,它是安全的削减? 2-3倍的,所以最低? = 1 / 15 * P * SQRT(RDS)。也就是说,一个最大的(热)为0.020欧姆的RDS IRF1010,可以放心地成为一个120W的输出放大器。商业控制器在许多依赖(有的多达18设备)小便宜污垢D2或MiniDIP的情况下,每个晶体管耗散0.3 - 0.5W。其中有些人的Rds实际上比'大'的TO220和TO247例的最佳设备。

  更进一步的是禁用电容放电,当遥控器的信号是低。最简单的办法是所有栅极控制电路,功率从远程线或 - 一个追随者 - 更好。维生素D3 - D4的发光二极管显示充电,D5 - D6 - 开关打开。0.2F的电容值是只作例子 - 这就够了假设一个晶体管供应120W的放大器。

  

  在开关的功率损耗取决于场效应管的RDS,甚至更多 - 接线。薄,低效率的电源接线可以离开整个设备失效。不要依赖PCB上的铜 - 使用厚,至少有2 sq.mm. 铜绞线。对于一个DIY安装,忘记花哨的终端和硬焊短AWG8线将连接到功放和配电箱。



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