VMOS组成的H桥电机正反转驱动电路图

　　在上述双电源光电耦合上管驱动电路方案中，使用光耦的输出直接驱动MOS管，这样会使输出波形严重变形，尤其是波形的下降沿比较缓慢，这主要是由MOS管的G极和s极之间的电容引起的。输出波形为高电平时，给G和s之间的电容充电，使波形上升略缓慢；输出波形变低时，G和s之间的电容通过Rl放电，使MOS管的G极电位下降缓慢，导致了波形下降沿剧烈变形。鉴于MOS管G极和s极之间存在的电容是无法消除的，在借鉴了单片机口线上拉驱动电路的基础上，我们改进了上述的驱动方案，改进型方案如图1所示。