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IR2110典型应用电路及连接图

作者:fanxiaoxi时间:2022-10-31

  IR2110应用的典型连接图

  IR2110的典型应用连接见图12-37。通常,它的输出级的工作电源是一悬浮电源,这是通过一种自举技术由固定的电源得来的。充电二极管VD的耐压能力必须大于高压母线的峰值电压,为了减小功耗,推荐采用一个快恢复的二极管。自举电容C的值依赖于开关频率,占空比和功率MOSFETIGBT栅极的充电需要,应注意的是电容两端耐压不允许低于欠电压封锁临界值,否则将产生保护性关断。对于5kHz以上的开关应用,通常采用0.1f/F的电容是合适的。

  为了向需开关的容性负载提供瞬态电流,应用中应在vcc和COM间、VDD和y鹅间连接两个旁路电容,这两个电容及VB和Vs间的储能电容都要与器件就近连接。建议Vcc上的旁路电容用一个n1VF的陶瓷电容和一个iFeF的钽电容并联,而逻辑电源V∞上有一个o_ipiF的陶瓷电容就足够了。

  大电流的MOSFET或IGBT相对需要较大的栅极驱动能力,IR2110的输出即使对这些器件也可进行快速的驱动。为了尽量减小栅极驱动电路中的电感,每个MOSFET应分别连接到JR2110的2脚和5脚作为栅极驱动信号的反馈。对于较小功率的MOSFET或IGBT可在输出处串一个栅极电阻,栅极电阻的值依赖于电磁兼容(EMI)的需要、开关损耗及最大允许dvldt值。

  

  IR2110典型应用电路

  


关键词: MOSFET IR2110

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