实用驱动电路举例

(1)正反馈型驱动电路
图8-13所示为正反馈型驱E6G2-CWZ1X-H动电路。正反馈信号的获得是通过二次绕组W3实现的。当输入信号为高电平时，反相器II的输出为高电平，在该驱动信号作用下出现漏极电流，此时一次绕组Wl中感生出星号端为正的反电动势，在变压器二次绕组W3中也感生出相应极性的电势，并通过冠向功率MOSFET的输入电容充电，随着功率MOSFET的导通不停地给栅极施以正反馈，加速了功MOSFET的开通过程，缩短了开通时间。当输入信号为低电平时，使功率MOSFET关断，反相器I输出高电平并使辅助管FETA开通，从而将功率MOSFET的栅极接地，迫使其输入电容迅速放电，加速功率MOSFET的关断速度，由此可见这种电路是一种高速开关电路。

(2)窄脉冲自保护驱动电路。
图8-14所示为具有过载和短路保护功能的窄脉冲驱动电路。当输入信号甜：由低变高时，晶体管VT1导通，脉冲变压器～次绕组上的电压为电源电压Ucl在电阻R2、R3上取得的分压值。脉冲变压器可以做得很小，故在很短时间内就会饱和，耦合到其二次绕组的电压是一个正向尖脉冲，该尖脉冲使VT2导通，VT2、VT3组成两级正反馈互锁电路，由于互锁作用VT2、VT3将保持导通，因而VT4导通使功率MOSFET导通。当地由高电平变低时，脉冲变压器一次侧磁恢复，在二次侧感应出一个负向尖脉冲，使VT2截止，从而使VT3、VT4截止，VT5瞬时导通，关断功率MOSFET。在该电路中R6、VD3、VD4构成自保护驱动。参考点A的电位由电阻R4、Rs分压获得，在正常工作时功率MOSFET的漏极D点电位低于A点电位，因而二极管VD4截止，电源UC2经电阻R6、二极管VD3到功率MOSFET流过电流。当短路或过载时，功率MOSFET的UDS上升，当UD= UA时二极管VD4导通，R6和风上的压使A点电位升高，由VT2、VT3构成的互锁电路翻转，使VT5瞬时导通，关断功率MOSFET，使之得到有效保护。

(3)窄脉冲MOS化驱动电路。
可以利用互锁电路的保持功能实现用窄脉冲驱动功率MOSFET，互锁电路由两个小功率MOSFET管的栅源交叉连接组成。窄脉冲MOS化驱动电路如图8-15所示。这样组成了一个无源双稳态电路，C1、C2、C是储能元件，它们可以是外接电容器，也可利用VT1、VT2和功率MOSFET的寄生电容。在输入信号甜，的上升沿，脉冲变压器的二次侧产生一个正向尖脉冲使C1充电，VT1开通，C2通过VT1放电使VT2关断，C由窄脉冲通过Rg充电使功率MOSFET导通。反之，在输入信号甜，的下降沿，脉冲变压器的二次侧产生一个负向尖脉冲使C2充电VT2导通，G和C通过VT2放电，最终VT1和功率MOSFET关断。增大C1、C2或改变Rg还可以对导通及关断时间进行调整。当电路开始接电时，VT1、VT2、功率MOSFET均处于关断状态，由于功率MOSFET的栅极都处于高阻抗状态，极易因干扰或噪声而使电容C1和C2充电，造成功率MOSFET误导通。为此设置了电阻Rd、C2，通过Rd对C2自动充电保证功率MOSFET处于关断状态。