1600Mbps数据率的DDR3让您的缓存操作飞起来

ALLIANCE推出了一款2Gb容量的第三代双倍数据率同步动态随机存储器（DDR3）型号为AS4C128M16D3-12BAN。该款DDR3芯片具有16bit位宽，共128M个存储单元，在使用过程中，芯片被划分为8个Bank，其中每个Bank位宽为16bit，共有16M个存储单元，单个Bank容量达256Mb。AS4C128M16D3-12BAN作为DDR3类存储器，采用最新的双倍数据率架构设计，即利用两个不同时钟边沿（CK的上升沿，CK#的下降沿）对数据进行锁存，这样在时钟频率相同的情况下，AS4C128M16D3-12BAN可以将数据传输速率提升为传统SDRAM存储器的两倍，另一方面来说可以利用双倍数据率架构的优势将时钟频率降低，从而有效降低设计难度、功耗以及设计成本。

 

AS4C128M16D3-12BAN的时钟采用差分信号，最高时钟频率可达800MHz，当以每个数据I/O管脚计算数据传输速率时，由于利用两个时钟边沿进行数据锁存，因此最高速度可达1600Mbps。由于该款DDR3芯片采用完全同步操作，并符合JEDEC时钟抖动规范要求，因此对于数据传输的稳定性具有完善的保障。

 

AS4C128M16D3-12BAN采用96脚的FBGA封装，封装尺寸仅为9mm x 13mm x 1.2mm，即便使用两片或者更多该款DDR3存储器进行乒乓操作设计，也不会对整板的设计面积造成过大压力。此外，AS4C128M16D3-12BAN符合JEDEC标准要求，其工作温度范围为-40~105℃。大容量小尺寸，以及宽工作温度范围，保障其具有广泛的应用领域。

 

AS4C128M16D3-12BAN的主要特点：

• 供电电压：+1.5V±0.075V；

• 时钟信号采用差分模式，最高时钟速率800MHz；

• 内部容量：2Gb（128M x 16bit）；

• 最高数据率(以每个IO口的数据率计)：1600Mbps；

• 符合JEDEC时钟抖动要求；

• 支持 8n位预读取；

• 内部流水线架构；

• 支持自动刷新和自我更新；

• 支持OCD校准；

• 支持动态ODT；

• 符合RoHS要求；