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氧化锌压敏电阻MLV如何替代TVS齐纳二极管?

作者:angelazhang时间:2015-10-09浏览次数:1984

从出厂编号上分辨MLV和齐纳二极管的不同

对于选择元器件,通常首先考虑的是减小电路板的尺寸并且尽量是无铅的表面贴装形式的器件,这些器件更加注重高集成度和更小封装,我们提供符合EIA PDP-100标准的0402-2220的封装。最常用的TVS型齐纳二极管的封装是0805、1206、1210,ML采用陶瓷封装。TVS型齐纳二极管常用封装有:J型引脚贴装(如:DO-214)、蝶翼贴装(如:DO-215)、轴式穿孔式封装(如:DO-13、的、DO-41),因此PCB板进行修改是极其有必要的。


关键参数比较

表2是常用电气术语列表,实际上两组参数描述的是同样的技术指标。齐纳反向尖峰工作电压(VRWM\VWM)对应ML的最大连续工作电压,目前ML能够满足3.5V-120V的电压范围,使用于板上敏感电路的保护。


参数

齐纳

等效于ML

最大工作/反向钳位电压

VWM,  VR, VRM

VM (DC)

击穿电压

VBR

VN  (Nominal Voltage)

尖峰功耗

Ppk  (WATTS)

WTM  (Joules)

最大雪崩电流最大脉冲电流

IPP,  IRSM, IPPM, IFSM

ITM

表1:常用参数对比


比较V-I参数

ML是由金属氧化物烧结而成的,可以双向钳位,常被用于存在正负脉冲干扰的环境中。双向齐纳二极管是使用两个单相齐纳二极管背靠背的封装在一起实现的双向钳位(齐纳二极管在单相应用中考虑实际的正向电流的应用时尽量避免使用ML)。

对于目前的齐纳二极管应用电路,需要着重考虑ML的V-I特性参数以适应其应用需求。最大钳位电压是已知的,工程师们会根据数据手册上的伏安特性以及最大瞬态电路来选取适当的保护器件。首先的第一近似值是经常是短路电流,或可能的瞬态峰值电压除以源阻抗的值。


选择ML参数

瞬态抑制器件在选择时必须符合设备能量级别,瞬态峰值电压和波形的电路电源阻抗应确定适当的抑制。ML的能量耗散能力主要取决于氧化锌材料的体积(或物理尺寸),大部分的电快速瞬变抑制转化为热量。能源(E)焦耳消散在ML计算产品的钳位电压(V),毫升峰值电流(I),瞬态持续时间(t),和一个积分因子(k)适合波形。E =V.I.k(t)。多层和电视齐纳评级基于美国10 x1000双指数波形。齐纳表达这是瓦的最大峰值电流通常具体时间。ML的一个优势是能量的变化率

表2是18V齐纳二极管与ML的典型功率对比,这些数据是在85℃时测试值。确定器件最大真实功耗还需要在实际应用中进行测试,在选择元器件时应尽量避免选取过大或者过小规格的产品。


齐纳二极管功率范围

常见齐纳二极管前缀

18V齐纳二极管功耗(10*1000)

18VML封装

ML功耗

500W

SA

0.56 J

0805 or  1206

0.3 to  1.0

600W

1SMB, P6KE

0.67 J

1206 or  1210

0.3 to  1.2

1500W

1SMC,  1.5KE

1.67 J

1210

0.3 to  1.2

表2:18V齐纳二极管与ML的典型功率对比


寄生电容对比

ML寄生电容的范围可以从几十到几百皮法。齐纳二极管也一样,它基本上是与额定电压(通常,ML氧化锌材料厚度增加,电压)成反比的。对于低压ML电容值一般会高些,但会低于TVS管,因此这取决于产品种类。在实际应用中,如果上述类型的TVS管额定齐纳是使用在一个特定的应用程序中,ML在交流电路应用中常常不影响,一些标准版本的ML通过减少电极层数来降低寄生电容。读者可以通过数据手册里的参数选取器件,Littelfuse也可以定制有特定寄生电容需求的产品。


反向恢复速度对比

ML和齐纳表现出极好的快速上升响应的瞬变电压变化响应能力,响应时间低至几纳秒到几十微秒。Littelfuse ML氧化锌材料本身在纳秒响应。在实际应用中,总响应时间将取决于电路参数和冲击电流的大小。无铅ML器件无外围引线有效的降低了引线电感。考虑到IEC的ESD瞬变模型,在这种极端情况下di / dt波阵面之间有冲击有时1纳秒的电流上升时间,要求与标准的2欧姆负载和合成的dv / dt的电压波形发生器电路进行对比。


齐纳二极管和齐纳二极管阵列替换

齐纳二极管(或二极管阵列,如SM SMDA,LCD,或ITA类型)不同于经常应用于小功率或者ESD保护中大功率的TVS管。例如,给定的功率等级通常在8 x20微秒条件而不是10 x1000微秒波。他们通常提供等IC包6 - 18脚DIP、SOP、SOT封装。最适用于替换的产品是Littelfuse V18MLN41206 4线的多层1206封装阵列。其他技术适合取代齐纳二极管阵列或提供特定应用场合的优势是Littelfuse“PulseGuard”类型产品,如PGB002ST23电压变量高分子材料在SOT-23封装和4线SP724(硅可控硅/ 二极管阵列)也在SOT-23封装。



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