环境恶劣？通过多重测试的 SDRAM解决你的后顾之忧！

全球性的专业RAM 供应商 Alliance Memory公司于2015年2月推出了型号为AS4C8M16SA-6BIN的8M×16bit的SDRAM。基于高速CMOS管的AS4C8M16SA- 6BIN内部由4个2M word×16的DRAM块构成。AS4C8M16SA-6BIN是Alliance Memory公司专为有迫切需求的高品质、高可靠性的集成电路市场而设计，该芯片不仅拥有丰富的可选择功能还经过一系列可靠性测试。

突发模式是内存读写操作中一种常见并十分高效的模式，对AS4C8M16SA-6BIN的读和写操作均采用单向突发模式。AS4C8M16SA-6BIN拥有一个突发选项，其提供了可以设置的读或者写突发长度：1、2、4、8或是整个页。AS4C8M16SA-6BIN的突发长度、测试模式、CAS延迟、突发类型等模式等都可以进行适当的选择。芯片拥有一个可编程的模式寄存器，系统可以选择最适合的模式来达到芯片的最佳性能。通过使用新的CMOS电路设计技术和增强的DRAM处理技术，AS4C8M16SA-6BIN十分适合那些需要高存储带宽尤其是高性能PC的应用。

为了确保芯片的可靠性，芯片采用了一系列的压力测试：包括生命周期测试，外部环境测试，ESD测试和锁定效应测试等。在生命周期测试中，231支芯片工作1000小时并在125℃的高温下工作没有出现故障；环境测试的结果显示，AS4C8M16SA-6BIN产品在恶劣环境下也能具有极强的耐受性。AS4C8M16SA-6BIN的封装采用54引脚400mil TSOPⅡ封装和4球状引脚8mm×8mm×1.2mm（最大尺寸）FBGA封装。

AS4C8M16SA-6BIN产品特点：

• 可编程的模式寄存器

     - CAS延迟：2或3

     - 突发长度：1，2，4，8或整页

     - 突发类型：序列存取或交叉存取

     - 突发中止功能

• 高速时钟频率：166/143MHz

• 工作温度范围

    - 商业级产品：0-70℃

    - 工业级产品：-40℃-85℃

• 拥有内部流水结构

• 全同步操作

• 每64ms有4096个刷新循环

• 符合ROHS标准

• 芯片封装：

    - 54引脚400mil TSOPⅡ封装

    - 4球状引脚8mm×8mm×1.2mm（最大尺寸）FBGA封装