128Mbits可编程CMOS SDRAM，高存储带宽应用的理想选择

Alliance Memory近期发布的的AS4C8M16SA系列，是高速的CMOS的SDRAM，具有128Mbits。所有的信号在时钟的上升沿被有效地写入。SDRAM的读和写接口是突发导向的；读写开始在一个选定的位置，然后编程一个指定的数据区域。SDRAM提供可编程的读写突发长度为1、2、4、8页或全页。通过配置一个可编程的模式寄存器，系统可以选择一个最适合的模式以达到最佳性能。在要求高存储带宽和高性能特性的PC应用领域，该器件也非常适用。

图：AS4C8M16SA系列SDRAM

AS4C8M16SA  SDRAM的特性：

• 快速读写时钟：5/5.4ns

• 快速时钟速率：166/143MHz

• 完全同步操作

• 内部流水线结构

• 可编程模式寄存器

• 运行温度范围：

     - 商业(0~70℃)

     - 工业(-40~85℃)

• 4096更新周期/64ms

• CKE电源掉电模式

• 单电源3.3V供电

• 接口：LVTTL

• 54pin 400mil塑封TSOP II

• 54ball 8.0*8.0*1.2mm（max）FBGA封装