峰值功率损耗减少60%的MOSFET，实现高达96%的系统效率

CREE的C2M系列碳化硅功率MOSFET C2M0025120D是其第二代Z-FET场效应管。1200V耐压，导通电阻25mΩ，N沟道增强模式，可减小25% 的产品体积，与传统硅变换器相比可减少超过60%的峰值功率损耗，帮助客户实现了业界领先的96% 的效率。

C2M0025120D可以提高系统效率，降低散热器冷却要求，增加功率密度，及系统开关频率，满足市场对高可靠性、高效率、紧凑型尺寸的需求。适用于太阳能逆变、开关模式的功率电源、高压DC/DC逆变器、电池充电器、电机驱动、脉冲功率应用等等。

C2M0025120D特性：

-新C2M MOS技术

-高阻断电压低电阻

-高开关速度低电容

-阻断电压高低RDS（on）

-易并联驱动简单

-抗闩锁

-雪崩耐用性

-无卤素，符合RoHS标准

C2M0025120D技术参数：

-封装：TO-247-3 

-闭锁电压：1200V

-额定电流：60A

-RDS (on)：25 mΩ 

-栅电荷总量：161 nC 

-总的开关损耗：1.7 mJ

-最大结温：150 °C