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用于锂电池的30V负载开关MOSFET AON5802B

作者:angelazhang时间:2015-01-25

方案概述

AON5802B采用先进的沟槽技术提供了出色的RDS(ON),低栅极电荷,可在低至2.5V的栅极电压下工作,同时保持12V VGS(MAX)。ESD保护。由于共漏极的特点,该器件适合用作锂电池的一个单向或双向负载开关。

核心优势

低RDS(ON),低栅极电荷
Typical ESD protection:HBM Class 3A

方案设计图

AON5802B.png



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