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电路设计->综合电路图->综合电路图->1000MHz射频功率MOSFET方案MRFE6S9045NR1

1000MHz射频功率MOSFET方案MRFE6S9045NR1

作者:angelazhang时间:2015-01-25

方案概述

MRFE6S9045NR1专为频率达1000MHz的宽带商用和工业电子应用而设计,该器件的高增益和宽带性能使其非常适合28V基站设备中的大信号共源放大器应用。

核心优势

  宽频带:频率覆盖0-1GHZ;
  高增益:增益≥ 20dB
  高线性:输出15W,互调≤-48dBC;
  高功率:P-1功率可达到55W,
  高功率:用于920-960MHz(GSM)频段时η≥68%(Pout=45W)

方案设计图

QQ截图20130630230355.png



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