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电路设计->综合电路图->综合电路图->470-860MHz射频功率MOSFET方案MRF6V3090NBR1

470-860MHz射频功率MOSFET方案MRF6V3090NBR1

作者:angelazhang时间:2015-01-25

方案概述

MRF6V3090NR1、MRF6V3090NBR1、MRF6V3090NR5和MRF6V3090NBR5专为频率470-860MHz的商用和工业宽带应用而设计,该器件适合于广播应用。

核心优势

  宽频带:470MHz—860MHZ ;
  高增益: ≥ 22dB;
  高线性:输出 8W(Avg), 带肩比≤-30dBC;
  高功率:峰值功率≥115W ;
  抗静电:优异的抗静电防护能力

方案设计图

QQ截图20130630232048.png



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