高保密三维密码电子锁电路图
高保密三维密码电子锁电路图
高保密三维密码电子锁电路图
目前的密码电子锁已有不少，其操作模式-般为：在特定的时间内，按照某种次序正确地按动各密码键即可使执行机构动作，其代表电路如 PHILIPS 公司生产的 RS722O 、 RS7225 等。这种编码方式虽然简单，但其保密性较差，其编码模式呈二维特性。如图 8 - 5 ( a ）所示。即在 OA 时间内，以 OB 次序按动密码键，便可得到输出 Y ( A 、 B ）。表现在几何图上是平面上的-点。可见要找到点 Y ( A 、 B ) ，只要平行于0A作B点的延长线，平行于。 B 作 A 点的延长线，其延长线的交点便是 Y ( A 、 B ）。它只有两个变量（即时控变量和次序变量）。本例给出的三维密码电子锁则有三个变量（即时控、次序、数量），表现在几何图上是空间中的-点，如图（ b ）所示。设 0A 为时间域，。 B 为次序域，。 C 为数量域，要找到空间-点 Y ( A 、 B 、 C ）必须是时控、次序、数量三变量的延长线交点。仅从这点来看，三维密码比二维密码破译的难度要大得多，因而其保密性要强得多，可应用于各类高保密场合。
其中 ICI 、 IC2 采用时基集成电路 NE555 、uA555 、 LM555 等均可。 IC3 采用四模拟声报警集成电路 KD9561 ，系软封装。 IC4 - IC7 均采用 CD4017 。 Dl 、 D2 由-块 CD4013 担任。 IC9 采用大功率开关集成电路 TWH8778 。 VTI-VT3 均采用 3DK4 或 9013 等三极管，尸） 80 。 VT4 采用 9012 或 8550 等三极管。 VT5 - VT7 均采用 3DK4 开关三极管，要求穿透电流极小。 501 - 504 采用单刀九档分线开关。 s1-s10 均采用轻触式按钮开关。 Ki 采用 JRX - 13F 继电器。K2 采用 12V 的小型电控锁。其它元件无特殊要求，可按图示数值选用。
高保密三维密码电子锁电路图
目前的密码电子锁已有不少，其操作模式-般为：在特定的时间内，按照某种次序正确地按动各密码键即可使执行机构动作，其代表电路如 PHILIPS 公司生产的 RS722O 、 RS7225 等。这种编码方式虽然简单，但其保密性较差，其编码模式呈二维特性。如图 8 - 5 ( a ）所示。即在 OA 时间内，以 OB 次序按动密码键，便可得到输出 Y ( A 、 B ）。表现在几何图上是平面上的-点。可见要找到点 Y ( A 、 B ) ，只要平行于0A作B点的延长线，平行于。 B 作 A 点的延长线，其延长线的交点便是 Y ( A 、 B ）。它只有两个变量（即时控变量和次序变量）。本例给出的三维密码电子锁则有三个变量（即时控、次序、数量），表现在几何图上是空间中的-点，如图（ b ）所示。设 0A 为时间域，。 B 为次序域，。 C 为数量域，要找到空间-点 Y ( A 、 B 、 C ）必须是时控、次序、数量三变量的延长线交点。仅从这点来看，三维密码比二维密码破译的难度要大得多，因而其保密性要强得多，可应用于各类高保密场合。
其中 ICI 、 IC2 采用时基集成电路 NE555 、uA555 、 LM555 等均可。 IC3 采用四模拟声报警集成电路 KD9561 ，系软封装。 IC4 - IC7 均采用 CD4017 。 Dl 、 D2 由-块 CD4013 担任。 IC9 采用大功率开关集成电路 TWH8778 。 VTI-VT3 均采用 3DK4 或 9013 等三极管，尸） 80 。 VT4 采用 9012 或 8550 等三极管。 VT5 - VT7 均采用 3DK4 开关三极管，要求穿透电流极小。 501 - 504 采用单刀九档分线开关。 s1-s10 均采用轻触式按钮开关。 Ki 采用 JRX - 13F 继电器。K2 采用 12V 的小型电控锁。其它元件无特殊要求，可按图示数值选用。
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