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三极管2SC3356组成的315MHz高频发射电路图

作者:dolphin时间:2013-04-16

三极管2SC3356组成的315MHz高频发射电路图

下图是由单个三极管2SC3356组成的315MHz高频发射电路图


晶振采用315MHz声表面滤波器.L1可用PCB电感天线.


315MHz高频发射电路图


高频三极管2SC3356引脚及参数

引脚图如下图所示

2SC3356硅超高频低噪声功率管

2SC3356高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF,UHF,CATV高频宽带低噪声放大器。

参数

  类别:NPN-硅通用晶体管

  集电极-发射极电压VCEO:12V

  集电极-基极电压VCBO:20V

  发射极-基极电压VEBO:3.0V

  集电极直流电流IC:100mA

  总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW

  工作结温Tj:150℃

  贮存温度Tstg:-65~150℃

  电性能参数(TA=25℃):

  击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0

  直流放大系数hFE:50~300

  集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)

  发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)

  特征频率fT:7.0GHz

  封装:SOT-23

  功率特性:中功率

  极性:NPN型

  结构:扩散型

  材料:硅(Si)

  封装材料:塑料封装

  集电极允许电流:0.1(A)

  集电极最大允许耗散功率:0.2(W)





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