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基于第四代IGBT技术的功率模块,有效降低寄生电感

作者:angelazhang时间:2015-08-22

Vincotech 于2014年12月4日推出Sixpack 六管封装的IGBT模块10-0B126PA015SC-M999F09,该产品基于英飞凌的IGBT4技术,集成三相逆变器模块,采用六管封装,是工业驱动应用的优先选择。该模块的击穿电压1200V,导通电流15A,采用 flow0B 17mm封装。尺寸为17mmx35mmx37mm。 


IGBT4是基于已知的IGBT3沟槽栅结构并结合经优化的包含n-衬底、n-场截止层和后端发射极的纵向结构。与第三代IGBT比,IGBT4将使总损耗更低,开关行为更轻柔,同时芯片的面积更小。此外,p/n结的最高结温Tjmax从150℃升高至175℃。这将在静态和动态过载情况下建立一个新的安全裕度。 IGBT4系列的特点是有一个为高、中、低功率应用而优化的纵向结构,开关性能和损耗适用于给定的功率等级。
该产品封装结构紧凑,便于安装,该设计在低饱和电压下运转良好,损耗低,并可实现最优转换行为。 


图:六管封装的IGBT模块10-0B126PA015SC-M999F09


模块特点:

• IGBT4(1200)技术

• 专为工业驱动应用而设计

• 射极开路配置

• 低寄生电感

• 低导通损耗和EMC改善技术

• 集成温度传感器

• 全新超紧凑封装使用单螺栓散热器安装方式



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